澤攸 ZEM20：工業(yè)研發(fā)顯微表征平臺

產(chǎn)品簡介

澤攸 ZEM20：工業(yè)研發(fā)顯微表征平臺
制造業(yè)的研發(fā)環(huán)節(jié)（如半導(dǎo)體、航空航天、醫(yī)療器械），對產(chǎn)品微觀結(jié)構(gòu)的超高分辨率表征與多維度分析是提升產(chǎn)品性能、突破技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵。澤攸臺式掃描電子顯微鏡 ZEM20，憑借性能與強大的擴展能力，成為工業(yè)研發(fā)的核心顯微表征平臺。

產(chǎn)品型號：

更新時間：2025-08-25

廠商性質(zhì)：代理商

訪問量：84

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

臺式電鏡&臺階儀&原位分析

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澤攸 ZEM20：工業(yè)研發(fā)顯微表征平臺

在制造業(yè)的研發(fā)環(huán)節(jié)（如半導(dǎo)體、航空航天、醫(yī)療器械），對產(chǎn)品微觀結(jié)構(gòu)的超高分辨率表征與多維度分析是提升產(chǎn)品性能、突破技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵。澤攸臺式掃描電子顯微鏡 ZEM20，憑借性能與強大的擴展能力，成為工業(yè)研發(fā)的核心顯微表征平臺。

產(chǎn)品細節(jié)

ZEM20 采用工業(yè)級高穩(wěn)定性臺式結(jié)構(gòu)，機身外殼為 2mm 厚的不銹鋼板，表面經(jīng)過防腐蝕、防靜電處理，能適應(yīng)研發(fā)車間的復(fù)雜環(huán)境（如輕微化學(xué)腐蝕、靜電干擾）。操作界面支持工業(yè)級操作系統(tǒng)，具備權(quán)限管理功能，可設(shè)置研發(fā)人員、技術(shù)員、管理員等不同權(quán)限，保障實驗數(shù)據(jù)的安全性與操作的規(guī)范性。樣品室為超大容積設(shè)計，最大可容納直徑 150mm、高度 100mm 的樣品，配備高精度六軸電動樣品臺（X/Y/Z 軸移動，傾斜、旋轉(zhuǎn)、擺動），定位精度可達 ±0.5μm，支持大尺寸樣品（如半導(dǎo)體晶圓、航空航天零部件）的多位置、多角度表征。設(shè)備集成高靈敏度二次電子探測器、背散射電子探測器、能量選擇背散射探測器（EBSD 專用），可同時獲取樣品的表面形貌、成分分布與晶體結(jié)構(gòu)信息；同時支持與能譜儀（EDS）、電子背散射衍射（EBSD）、聚焦離子束（FIB）的無縫集成，構(gòu)建 “形貌 - 成分 - 結(jié)構(gòu) - 加工" 一體化表征系統(tǒng)，滿足工業(yè)研發(fā)的全流程需求。此外，設(shè)備配備工業(yè)級數(shù)據(jù)存儲與管理系統(tǒng)，可存儲 10 萬組以上的實驗數(shù)據(jù)，并支持與企業(yè)研發(fā)管理平臺（PLM）對接，實現(xiàn)實驗數(shù)據(jù)的追溯、共享與分析。

產(chǎn)品性能

ZEM20 的性能達到工業(yè)級 SEM 水平，二次電子圖像分辨率可達 1.5nm（30kV），低電壓（1kV）下分辨率 3.0nm，能清晰檢測半導(dǎo)體芯片的納米級電路（如 7nm 制程芯片的晶體管結(jié)構(gòu)）、航空航天材料的微觀缺陷（如鈦合金的納米級裂紋）。加速電壓范圍 0.5 - 20kV，調(diào)節(jié)精度 0.01kV，可根據(jù)不同材料（如半導(dǎo)體、金屬、陶瓷、高分子）選擇電壓，實現(xiàn)低損傷、高分辨率表征；放大倍數(shù)覆蓋 5 - 300000 倍，可從晶圓級宏觀觀察快速切換至納米級細節(jié)分析。設(shè)備具備高速掃描與高分辨率成像雙重模式：高速掃描模式（幀率 60 幀 / 秒）適合快速定位樣品缺陷，高分辨率模式（8192×6144 像素）適合精細表征。在工業(yè)研發(fā)中，支持原位實驗功能，如原位加熱（-200℃至 600℃）、原位力學(xué)測試（拉伸、壓縮）、原位電學(xué)測試，可實時觀察產(chǎn)品在模擬使用環(huán)境下的微觀結(jié)構(gòu)變化（如芯片在高溫下的電路穩(wěn)定性、航空材料在受力下的缺陷擴展）。此外，設(shè)備具備先進的自動化表征功能，可通過預(yù)設(shè)程序?qū)崿F(xiàn)多樣品、多位置的自動檢測與數(shù)據(jù)分析，提升研發(fā)效率（如半導(dǎo)體晶圓的自動缺陷檢測，每小時可檢測 100 個以上的芯片）。

用材講究

為滿足工業(yè)研發(fā)的長期穩(wěn)定性與可靠性需求，ZEM20 的核心部件選用頂級工業(yè)級材料與工藝。電子槍可選配場發(fā)射燈絲（W 或 CeB?），場發(fā)射燈絲具備超高亮度（亮度是鎢燈絲的 20 - 50 倍）、極長使用壽命（W 場發(fā)射燈絲可達 5000 小時，CeB?場發(fā)射燈絲可達 10000 小時）與極低的能量分散，能產(chǎn)生亞納米級的電子束，實現(xiàn)超高分辨率成像。透鏡系統(tǒng)采用無氧銅精密加工，配合多層超導(dǎo)鍍膜與水冷系統(tǒng)，電子束聚焦精度可達 0.1nm，且長期使用后聚焦穩(wěn)定性波動小于 1%。樣品室內(nèi)部采用鈦合金材質(zhì)，經(jīng)過電解拋光與鈍化處理，表面粗糙度小于 0.05μm，減少電子散射與背景噪聲，同時具備優(yōu)異的抗腐蝕能力，可應(yīng)對工業(yè)研發(fā)中常見的酸性、堿性樣品（如航空材料的腐蝕產(chǎn)物分析）。樣品臺采用高強度鈦合金與碳纖維復(fù)合材質(zhì)，兼具高剛性與輕量化，定位精度可達 ±0.5μm，且在長期使用（10000 次以上移動）后定位誤差小于 1μm。探測器選用工業(yè)級高靈敏度、高穩(wěn)定性器件，信號采集效率高，噪聲低，在工業(yè)環(huán)境下（溫度 15 - 30℃，濕度 20% - 70%）信號穩(wěn)定性波動小于 5%；內(nèi)部電路采用工業(yè)級抗干擾設(shè)計，能抵抗車間的電磁干擾與電壓波動（±10%）。真空系統(tǒng)采用工業(yè)級三級真空泵（機械泵 + 分子泵 + 離子泵），真空度可達≤1×10??Pa，抽真空時間短（從常壓至超高真空≤5 分鐘），且具備真空保護與自動恢復(fù)功能，減少因停電、漏氣等突發(fā)情況導(dǎo)致的設(shè)備損壞。

參數(shù)詳情

參數(shù)項	具體數(shù)值
分辨率	二次電子圖像：1.5nm（30kV），3.0nm（1kV）；背散射電子圖像：3.0nm（30kV）
加速電壓	0.5 - 20kV，步長 0.01kV
放大倍數(shù)	5 - 300000 倍，連續(xù)可調(diào)，最小步長 0.01 倍
樣品室尺寸	最大樣品直徑 150mm，最大樣品高度 100mm
樣品臺	六軸電動樣品臺（X/Y/Z：200mm×200mm×100mm，傾斜：-45° 至 + 90°，旋轉(zhuǎn)：360°，擺動：±10°），定位精度 ±0.5μm
電子槍類型	可選配 W 場發(fā)射燈絲、CeB?場發(fā)射燈絲
探測器	高靈敏度二次電子探測器（SE）、高分辨率背散射電子探測器（BSE）、能量選擇背散射探測器（EBSD 專用）
真空系統(tǒng)	機械泵 + 分子泵 + 離子泵，真空度：超高真空≤1×10??Pa，高真空≤5×10??Pa，低真空 10 - 1000Pa，抽真空時間≤5 分鐘（常壓至超高真空）
圖像功能	超高分辨率拍照（8192×6144 像素）、動態(tài)視頻（60 幀 / 秒）、自動缺陷檢測、多位置自動表征、三維重構(gòu)
原位實驗	支持原位加熱（-200℃至 600℃，精度 ±1℃）、原位力學(xué)測試（最大力 100N，精度 ±0.1N）、原位電學(xué)測試（電壓 0 - 200V，電流 0 - 10A）
工業(yè)對接	支持與 PLM 系統(tǒng)對接，數(shù)據(jù)格式兼容 CAD、CAE 軟件；支持 Modbus、Profinet、EtherNet/IP 工業(yè)協(xié)議
工作環(huán)境	溫度 15 - 30℃（±2℃），相對濕度 20% - 70%（無冷凝），振動≤0.05g（50 - 200Hz），電磁兼容符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（EN 61326）

廣泛用途

在半導(dǎo)體芯片研發(fā)中，ZEM20 可用于檢測 7nm 及以下制程芯片的晶體管結(jié)構(gòu)、金屬互聯(lián)線缺陷，分析芯片在高溫、高壓下的性能穩(wěn)定性，助力先進制程芯片的研發(fā)與制造；在航空航天材料研發(fā)中，能觀察鈦合金、復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)、纖維與基體的界面結(jié)合狀態(tài)，研究材料在高溫、疲勞載荷下的缺陷擴展規(guī)律，提升航空航天零部件的可靠性與使用壽命；在醫(yī)療器械研發(fā)中，可檢測人工心臟的表面微觀結(jié)構(gòu)、植入式傳感器的封裝質(zhì)量，確保醫(yī)療產(chǎn)品的生物相容性與使用安全性；在新能源材料研發(fā)中，能觀察鋰電池電極材料的微觀形貌、電解液與電極的界面反應(yīng)，優(yōu)化電池性能，延長電池壽命；此外，在精密模具制造中，還能檢測模具型腔的納米級表面粗糙度、微小缺陷，助力高精度模具的研發(fā)與生產(chǎn)。

使用說明

安裝時，需將 ZEM20 固定在研發(fā)車間的專用防震工作臺上，工作臺需具備承重能力≥500kg，且配備獨立的接地系統(tǒng)（接地電阻≤1Ω）。設(shè)備周圍需預(yù)留足夠空間（前后左右各≥1m），用于安裝擴展附件（如 EDS、EBSD、FIB）與日常維護。連接設(shè)備電源、工業(yè)網(wǎng)絡(luò)線路，由廠家專業(yè)工程師進行設(shè)備安裝調(diào)試，包括真空系統(tǒng) leak 檢測、電子槍校準(zhǔn)、探測器靈敏度調(diào)試、工業(yè)對接測試等，調(diào)試完成后進行性能驗證（如分辨率測試、自動化表征效率測試）。日常使用前，啟動設(shè)備自檢程序，檢查真空系統(tǒng)、電子槍、樣品臺、探測器是否正常，若自檢異常，根據(jù)設(shè)備提示排查故障（如真空濾芯堵塞、樣品室門密封不良）。樣品制備需符合工業(yè)研發(fā)標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體晶圓需進行表面清潔與鈍化處理，去除光刻膠殘留與污染物；航空航天材料樣品需進行精密切割與拋光，露出內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)；醫(yī)療器械樣品需進行無菌處理，避免生物污染；原位實驗樣品需特殊設(shè)計樣品支架，確保與原位附件的兼容性。將樣品安裝在六軸樣品臺上，放入樣品室，關(guān)閉樣品室門，啟動真空系統(tǒng)，待真空度達到實驗要求。根據(jù)研發(fā)需求選擇實驗?zāi)Ｊ剑盒蚊脖碚鬟x用 SE 探測器，成分分析選用 BSE 探測器與 EDS，晶體結(jié)構(gòu)分析選用 EBSD，原位實驗需連接相應(yīng)附件并設(shè)置實驗參數(shù)（如溫度程序、力學(xué)載荷、電學(xué)條件）。通過操作界面設(shè)置掃描參數(shù)（加速電壓、放大倍數(shù)、掃描速度、采樣點數(shù)），啟動自動表征程序，設(shè)備將按照預(yù)設(shè)坐標(biāo)與參數(shù)完成多位置檢測，并自動生成分析報告（如缺陷位置、尺寸、數(shù)量統(tǒng)計）。實驗過程中，可通過工業(yè)網(wǎng)絡(luò)實時查看實驗數(shù)據(jù)，并與研發(fā)管理平臺共享數(shù)據(jù)。實驗結(jié)束后，關(guān)閉掃描程序與原位附件，待樣品室放氣后取出樣品，若使用了場發(fā)射電子槍，需按照說明書進行燈絲保護（如降溫、充入保護氣體）。日常維護中，每周清潔一次防塵濾網(wǎng)與真空系統(tǒng)濾芯，每月檢查一次電子槍燈絲狀態(tài)與樣品臺定位精度，每季度進行一次探測器校準(zhǔn)與真空系統(tǒng)維護，每年請廠家專業(yè)人員進行一次全面性能驗證與核心部件維護；設(shè)備出現(xiàn)故障時，需立即停機，聯(lián)系廠家技術(shù)人員進行檢修，嚴禁自行拆解核心部件（如電子槍、真空系統(tǒng)、探測器）。