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三維光學(xué)輪廓儀
Sensofar
S wideSensofar3D輪廓儀:科研分析“宏觀顯微鏡”
Sensofar3D輪廓儀:科研分析“宏觀顯微鏡"在材料科學(xué)、半導(dǎo)體與復(fù)合材料研究領(lǐng)域,大面積樣品的表面均勻性分析是揭示材料性能與制備工藝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。Sensofar S wide大視野3D光學(xué)輪廓儀憑借其“大視場(chǎng)+高精度"特性,為科研人員提供了宏觀尺度下的微觀觀察工具。
在材料科學(xué)、半導(dǎo)體與復(fù)合材料研究領(lǐng)域,大面積樣品的表面均勻性分析是揭示材料性能與制備工藝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。Sensofar S wide大視野3D光學(xué)輪廓儀憑借其“大視場(chǎng)+高精度"特性,為科研人員提供了宏觀尺度下的微觀觀察工具。
S wide采用大視場(chǎng)鏡頭設(shè)計(jì),標(biāo)配5x物鏡時(shí)視場(chǎng)直徑達(dá)10mm,單次測(cè)量可覆蓋傳統(tǒng)設(shè)備的8倍以上區(qū)域。其核心光學(xué)系統(tǒng)支持共聚焦顯微鏡與白光干涉雙模切換:共聚焦模式下橫向分辨率0.3μm,縱向分辨率5nm,適合粗糙表面或高斜率樣品的測(cè)量;白光干涉模式則將縱向分辨率提升至0.1nm,可精準(zhǔn)捕捉納米級(jí)臺(tái)階高度與表面平整度。
設(shè)備搭載500萬(wàn)像素CMOS傳感器,配合數(shù)字變焦功能,既能實(shí)現(xiàn)10mm×10mm區(qū)域的整體掃描,也可對(duì)局部細(xì)節(jié)進(jìn)行放大觀察。針對(duì)透明樣品(如玻璃、聚合物薄膜),透過(guò)式共聚焦模式可穿透表層觀察內(nèi)部結(jié)構(gòu);反射式模式則通過(guò)優(yōu)化光源角度,清晰呈現(xiàn)金屬、陶瓷等不透明材料的表面紋理。
S wide的“快速拼接算法"支持多區(qū)域測(cè)量數(shù)據(jù)的自動(dòng)拼接,拼接精度0.1μm,拼接速度較傳統(tǒng)算法提升50%。以300mm×300mm晶圓測(cè)量為例,傳統(tǒng)設(shè)備需分9次掃描并手動(dòng)拼接,耗時(shí)1.5小時(shí);S wide僅需1小時(shí)即可完成精細(xì)掃描(分辨率500nm),兼顧效率與精度。
配套軟件具備大面積數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)功能,可自動(dòng)計(jì)算樣品的粗糙度分布(Sa、Sq)、厚度均勻性、缺陷密度等參數(shù),為科研分析提供量化依據(jù)。例如,在復(fù)合材料研究中,S wide可分析纖維分布均勻性,揭示材料力學(xué)性能與微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系。
光學(xué)鏡頭采用高透光率肖特玻璃,經(jīng)多層增透鍍膜處理,大視場(chǎng)范圍內(nèi)透光均勻性達(dá)95%;鏡頭艙采用雙層防塵結(jié)構(gòu),內(nèi)層密封光學(xué)艙與外層防護(hù)蓋設(shè)計(jì),避免灰塵進(jìn)入影響成像質(zhì)量。樣品臺(tái)臺(tái)面采用航空級(jí)鋁合金,表面經(jīng)過(guò)精密研磨,平整度誤差小于3μm,確保大面積樣品放置后無(wú)明顯傾斜,保障掃描一致性。
內(nèi)部機(jī)械傳動(dòng)部件采用雙滾珠絲杠與伺服電機(jī),傳動(dòng)精度達(dá)0.1μm/mm,長(zhǎng)期使用后仍能保持穩(wěn)定的平移精度,減少拼接誤差。設(shè)備外殼采用冷軋鋼板,表面經(jīng)過(guò)防靜電噴涂處理,能抵抗實(shí)驗(yàn)室常見化學(xué)試劑的腐蝕,同時(shí)減少靜電對(duì)電子元件的影響。
參數(shù)類別 | 標(biāo)準(zhǔn)版參數(shù) | 增強(qiáng)版參數(shù) |
---|---|---|
測(cè)量范圍 | X/Y軸300mm×300mm,Z軸20mm | X/Y軸500mm×500mm,Z軸20mm |
橫向分辨率 | 共聚焦模式:0.3μm(5x物鏡) | 共聚焦模式:0.2μm(10x物鏡) |
縱向分辨率 | 共聚焦模式:5nm;干涉模式:0.1nm | 共聚焦模式:3nm;干涉模式:0.05nm |
掃描速度 | 0.5-10mm/s(連續(xù)可調(diào)) | 1-20mm/s(高速模式) |
數(shù)據(jù)輸出格式 | ASCII、CSV、STL | ASCII、CSV、STL、CAD兼容格式 |
標(biāo)準(zhǔn)版適用于常規(guī)科研需求,增強(qiáng)版則通過(guò)更高分辨率與更快掃描速度,滿足對(duì)數(shù)據(jù)精度與效率要求更高的研究場(chǎng)景。
在半導(dǎo)體制造中,S wide用于分析晶圓表面的顆粒污染與薄膜厚度均勻性;在復(fù)合材料研究領(lǐng)域,其大視場(chǎng)特性可快速檢測(cè)材料表面的纖維分布與孔隙率。操作流程如下:
樣品固定:使用可調(diào)節(jié)夾具固定不規(guī)則形狀樣品,耐磨防滑墊防止滑動(dòng);
模式選擇:粗糙樣品選共聚焦模式,光滑樣品選白光干涉模式;
區(qū)域定位:通過(guò)低倍物鏡框選測(cè)量區(qū)域,軟件自動(dòng)規(guī)劃掃描路徑;
數(shù)據(jù)分析:生成包含3D形貌圖、截面曲線與粗糙度參數(shù)的檢測(cè)報(bào)告。
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